1、PCB的走线按照布线规则来做即可。当PCB有空间的时候可以放2个Y电容的位置:初级大电容的+到次级地;初级大电容-到次级地,整改辐射的时候可以调整。
2、对于2芯输入的,Y电容除了上述接法还可以在L,N输入端,保险丝之后接成Y型,再接次级的地,3芯输入时,Y电容可以从输入输出地接到输入大地来测试。
3、磁珠在辐射中间很重要,以前用过的材料是K5A,K5C,磁珠的阻抗曲线与磁芯大小和尺寸有关。如图所示,不同的磁珠对不同的频率阻抗曲线不同。但是都是把高频杂波损耗掉,成了热量(30MHz-500MHz)。一般MOSFET,输出二极管,RCD吸收的D,桥堆,Y电容都可以套磁珠来做测试。
4、输入共模电感:如果是2级滤波,第一级的滤波电感可以考虑用0.5-5mH左右的感量,蝶形绕法,5K-10K材质绕制,第一级对辐射压制效果好。如果是3芯输入,可以在输入端进线处用三层绝缘线在K5A等同材质绕3-10圈,效果巨好。
5、输出共模电感,一般采用高导磁芯5K-10K的材料,具体情况辐射搞不定也可以改为K5A等同材质。
6、MOSFET,漏极上串入磁珠,输入电阻加大,DS直接并联22-220pF高压瓷片电容可以改善辐射能量,也可以换不同电流值的MOS,或者不同品牌的MOSFET测试。
7、输出二极管,二极管上套磁珠可以改善辐射能量。二极管上的RC吸收也对辐射有影响。也可以换不同电流值来测试,或者更换品牌
8、RCD吸收,C更改容量,R改阻值,D可以用FR107,FR207改为慢管,但是需要注意慢管的温度。RCD里面的C可以串小阻值电阻。
9、VCC的绕组上也有二极管,这个二极管也对辐射影响大,一般采取套磁珠,或者将二极管改为1N4007或者其他的慢管。
10、最关键的变压器。能少加屏蔽就少加屏蔽,没办法的情况也只能改变压器了。变压器里面的铜箔屏蔽对辐射影响大,线屏蔽是最有效果的。一般改不动的时候才去改变压器。
11、辐射整改时的效率。套满磁珠的电源先做测试,PASS的情况,再逐个剪掉磁珠。fail的情况,在输入输出端来套磁环,判断辐射信号是从输入还是输出发射出来的。套了磁环还是fail的话,证明辐射能量是从板子上出来的。这个时候要找实验室的兄弟搞个探头来测试,看看是哪个元器件辐射的能量最大,哪个原件在超出限值的频率点能量最高,再对对应的元件整改。辐射的现象可以看成是功率器件在高速开关情况下,寄生参数引起的振荡在不同的天线上发射出去,被天线接收放大了显示出来,避免振荡信号出去就要避免高频振荡,改变振荡频率或者把高频振荡吸收掉,损耗掉,以至于显示出来值的时候不超标。磁珠的运用有个需要注意的地方,套住MOSFET的时候,MOSFET最好是要打K脚,套入磁珠后点胶固定,如果磁珠松动,可能导电引起MOSFET短路。有空间的情况下尽量采用带线磁珠。